| 名称 | 波長 | 平均出力 | ピーク出力 |
|---|---|---|---|
| 波形 | メーカー名 | 利用研究 | 用途 |
| フェムト秒レーザー | 800 nm | 1 W | 1 TW |
| パルス幅 100 fs パルスエネルギー 100 mJ 繰り返し 10 Hz | スペクトラフィジックス | 高強度レーザー応用 | 白色光ライダー |
| フェムト秒レーザー | 800 nm | 0.7 W | 10 GW |
| パルス幅 100 fs パルスエネルギー 0.7 mJ 繰り返し 1 kHz | スペクトラフィジックス | フェムト秒応用 | フェムト秒加工 |
| 光パラメトリック発振器 | 750 nm〜1500 nm 375 nm〜750 nm |
0.1 W | 200 kW |
| パルス幅 5 ns 繰り返し 50 Hz | 自作 | 波長可変固体 レーザー基礎研究 | 分光計測、励起光源 |
| 半導体レーザーアレイ | 808 nm | 3 W〜4 W | 300 W〜400 W |
| パルス幅 200 μs 繰り返し 50 Hz | SDL社浜松ホトニクス社 | 波長可変固体 レーザー基礎研究 | 固体レーザー 励起光源 |
| エキシマレーザー | 193 nm, 222 nm, 248 nm | 10 W (100 Hz) | 7 MW |
| パルス幅 10 ns 繰り返し MAX100 Hz | ラムダフィジックス社 | 損傷評価 | アブレーション 光リソグラフ |
| エキシマレーザー励起 色素レーザー | 386 nm〜420 nm (PBBO) | 280 mW (308 nm, 20 Hz) | 490 kW |
| パルス幅 20 ns 繰り返し MAX100 Hz | ラムダフィジックス社 | 損傷評価 | 分光計測 |
| Nd:YAGレーザー | 1.06 μm, 532 nm | 10 W | 30 MW |
| パルス幅 10 ns 繰り返し MAX20 Hz | カンタレイ | Nd3+液体レーザー | 加工 アブレーション |
| エキシマレーザー励起 色素レーザー | 330 nm〜700 nm | 1.6 W | 1 MW |
| パルス幅 17 ns 繰り返し 80 Hz | ラムダフィジックス社 | 電荷交換物理 | 分光計測 |
| Nd:YAGレーザー | 1.06 μm, 532 nm | 10 W | 30 MW |
| パルス幅 〜10 ns 繰り返し 30 Hz | コンテニュアム社 | Gd同位体分離 | 加工 アブレーション |
| Arレーザー 2台 | 514.5 nm, 488.0 nm | 10 W | − |
| 連続発振 | コヒーレント社 | Gd同位体分離 | 励起光源、光計測 |
| 色素レーザー 2台 | 330 nm〜700 nm | ＞100 W | − |
| 連続発振 | コヒーレント社 | Gd同位体分離 | 分光計測 |
| Nd:YAGレーザーシステム | 1064 nm, 532 nm 355 nm |
40W (1064 nm, 100 Hz) 20W (532 nm, 100Hz) 15W (355 nm, 100Hz) | 400 mJ/3.5 ns |
| パルス幅 3.5 ns (1064 nm) | コヒーレント社 | 損傷評価 | 損傷評価 |
| CW高出力半導体レーザー | 940 nm | 〜500 W | − |
| − | 浜松ホトニクス社 | 固体レーザー基礎研究 | レーザー励起光源 |
| 超短パルスファイバ−レーザー | 1560 nm | − | − |
| パルス幅 1 ps パルスエネルギー 2 μJ 繰り返し 200kHz | アイシン精機 | MEMS | Si内部加工 |
| YAGレーザー | 1064 nm, 532 nm 355 nm |
− | − |
| パルス幅 8 ns パルスエネルギー 200 mJ 繰り返し ω/10 Hz | エクセルテクノロジー | MEMS | ガラス、Siの アブレーション加工 内部加工 |
| CO2レーザー | 10.6 μm | 10 W | − |
| − | オプトサイエンス | MEMS | ウェハ加熱 |
| CO2レーザーマーカー | 10.6 μm | 100 W | − |
| パルス幅 RF励起 | 堀内電機製作所 | MEMS | ガラスウェハの熱割断 |
| Nd:YVO4レーザー | 1 μm | 8 W | − |
| パルス幅 20nm (20 kHz) 繰り返し 20〜150 kHz | メガオプト | MEMS | ガラス、Si内部加工 |
| 名称 | 機能 (性能) | |
|---|---|---|
| メーカー名 | 利用研究 | 用途 |
| 蛍光分光光度計 | 発光スペクトル測定幅 250 nm〜850 nm | |
| 日立製作所 | 群分離 | − |
| 吸収分光光度計 | 吸収スペクトル測定幅 190 nm〜 850 nm | |
| 日本分光 | 群分離 | − |
| ストリークカメラ | 時間分解能 0.1 ns | |
| 浜松ホトニクス社 | 群分離 | − |
| アルゴンイオンレーザー | Innova 300 | |
| コヒーレント・丸文 (株) | − | 励起光源・光計測 |
| デジタルリアルタイムオシロスコープ | TDS680 B OP. 1F, 13, 2F 15 GS/S 1 GHz・2ch＋2 Aur |
|
| 浜松ホトニクス社 | 群分離 | − |
| フォトカウンティングシステム | 光電子増倍管R1527φ、D型ソケットE717-500 フォトカウンターC5410-50 |
|
| 浜松ホトニクス社 | − | − |
| 収差補正型分光器 | SP-150-M | |
| ルミネックス | − | − |
| オートコリレーター | パルス幅 0.2〜60 ps 波長 700〜1100 nm | |
| インデコ | − | − |
| 反射型対物レンズ | 金コート反射型、×15、WC24 mm、NA0.28 | |
| エドモンドオプティクス | MEMS | レーザー集光 |
| 対物レンズ | ×100 (可視・赤外) ×80 (紫外・可視) | |
| エドモンドオプティクス | MEMS | Si加工 |
| 3軸加工ステージ | 最大荷重 3kg X-Y軸ステージ ストローク300 mm・分解能＜0.2 μm 繰り返し位置決め精度 ＜±1μm Z軸ステージ ストローク＞10 mm・分解能＜0.2 μm 繰り返し位置決め精度 ＜±1 μm |
|
| − | MEMS | Si加工 |
