主要装置

 

名称波長 平均出力ピーク出力
波形メーカー名 利用研究用途
フェムト秒レーザー800 nm 1 W1 TW
パルス幅 100 fs
パルスエネルギー 100 mJ
繰り返し 10 Hz
スペクトラフィジックス 高強度レーザー応用白色光ライダー
フェムト秒レーザー800 nm 0.7 W10 GW
パルス幅 100 fs
パルスエネルギー 0.7 mJ
繰り返し 1 kHz
スペクトラフィジックス フェムト秒応用フェムト秒加工
光パラメトリック発振器750 nm~1500 nm
375 nm~750 nm
0.1 W200 kW
パルス幅 5 ns
繰り返し 50 Hz
自作 波長可変固体
レーザー基礎研究
分光計測、励起光源
半導体レーザーアレイ808 nm 3 W~4 W300 W~400 W
パルス幅 200 μs
繰り返し 50 Hz
SDL社浜松ホトニクス社 波長可変固体
レーザー基礎研究
固体レーザー
励起光源
エキシマレーザー193 nm, 222 nm, 248 nm 10 W (100 Hz)7 MW
パルス幅 10 ns
繰り返し MAX100 Hz
ラムダフィジックス社 損傷評価アブレーション
光リソグラフ
エキシマレーザー励起
色素レーザー
386 nm~420 nm (PBBO) 280 mW
(308 nm, 20 Hz)
490 kW
パルス幅 20 ns
繰り返し MAX100 Hz
ラムダフィジックス社 損傷評価分光計測
Nd:YAGレーザー1.06 μm, 532 nm 10 W30 MW
パルス幅 10 ns
繰り返し MAX20 Hz
カンタレイ Nd3+液体レーザー加工
アブレーション
エキシマレーザー励起
色素レーザー
330 nm~700 nm 1.6 W1 MW
パルス幅 17 ns
繰り返し 80 Hz
ラムダフィジックス社 電荷交換物理分光計測
Nd:YAGレーザー1.06 μm, 532 nm 10 W30 MW
パルス幅 ~10 ns
繰り返し 30 Hz
コンテニュアム社 Gd同位体分離加工
アブレーション
Arレーザー 2台514.5 nm, 488.0 nm 10 W
連続発振コヒーレント社 Gd同位体分離励起光源、光計測
色素レーザー 2台330 nm~700 nm >100 W
連続発振コヒーレント社 Gd同位体分離分光計測
Nd:YAGレーザーシステム1064 nm, 532 nm
355 nm
40W (1064 nm, 100 Hz)
20W (532 nm, 100Hz)
15W (355 nm, 100Hz)
400 mJ/3.5 ns
パルス幅 3.5 ns (1064 nm)コヒーレント社 損傷評価損傷評価
CW高出力半導体レーザー940 nm ~500 W
浜松ホトニクス社 固体レーザー基礎研究レーザー励起光源
超短パルスファイバ-レーザー1560 nm
パルス幅 1 ps
パルスエネルギー 2 μJ
繰り返し 200kHz
アイシン精機 MEMSSi内部加工
YAGレーザー1064 nm, 532 nm
355 nm
パルス幅 8 ns
パルスエネルギー 200 mJ
繰り返し ω/10 Hz
エクセルテクノロジー MEMSガラス、Siの
アブレーション加工
内部加工
CO2レーザー10.6 μm 10 W
オプトサイエンス MEMSウェハ加熱
CO2レーザーマーカー10.6 μm 100 W
パルス幅 RF励起堀内電機製作所 MEMSガラスウェハの熱割断
Nd:YVO4レーザー1 μm 8 W
パルス幅 20nm (20 kHz)
繰り返し 20~150 kHz
メガオプト MEMSガラス、Si内部加工