私たちの技術

レーザープラズマの重要な応用の一つとして、レーザープラズマから発生する高強度の可視光、紫外線、X 線等を対象物に照射し、加工することが挙げられる。レーザー技術総合研究所は、2003 年度から5年間行われた、文部科学省リーディングプロジェクト「極端紫外(EUV)光源開発等の先進半導体製造技術の実用化」において、極端紫外光源開発に関し、シミュレーション及び実験を担当した。理論・シミュレーションチームは、文部科学省リーディングプロジェクト終了後も、本件のシミュレーションを続けた。プラズマ放射極端紫外線を用いたリソグラフィ技術は、ユビキタス・ネッ トワーク社会を支える半導体集積回路の超微細化におけるキーテクノロジーの一つとして、大きな注目を浴びている。

極端紫外光源に対する要求仕様値としては、中心波長 13.5 nm、2 % 帯域に、繰 り返しレート 7－10 kHz 以上のパルスで，光源取り出し部での極端紫外光パワーが 115 W 以上、であった。理論・シミュレーションチームでは、レーザーアブレーション放射流体シミュレーションコードを新たに開発し、照射するレーザーの波長、強度、パルス幅党の最適化を行い、要求仕様値を満たすための指針を与えた。